初期廠商裹足不前，主要因素是表面粘著LED最早面臨的問題是無法完成高溫紅外線下焊錫回流的步驟。LED的比熱較IC低，溫度升高時不僅會造成亮度下降，且超過攝氏100度時將加速組件的劣化。LED封裝時使用的樹脂會吸收水分，這些水分子急速汽化時，會使原封裝樹脂產生裂縫，影響產品效益。在1990年初，HP和SiemensComponentGroup合作開發長分子鍵聚合物，作為表面粘著型LED配合取放機器的設計，表面粘著型LED到此才算正式登場。
LEDLightEmittingDiode。發光二極管。LED為通電時可發光的電子組件，是半導體材料制成的發光組件，材料使用III-V族化學元素（如：磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等），發光原理是將電能轉換為光，也就是對化合物半導體施加電流，透過電子與電洞的結合，過剩的能量會以光的形式釋出，達成發光的效果，屬于冷性發光，壽命長達十萬小時以上。LED最大的特點在于：無須暖燈時間(idlingtime)、反應速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產，具高可靠度，容易配合應用上的需要制成極小或數組式的組件，適用范圍頗廣，如汽車、通訊產業、計算機、交通號志、顯示器等。
LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游，產品在外觀上差距相當大。上游是由磊芯片形成，這種磊芯片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形，厚度相當薄，就像是一個平面金屬一樣。LED發光顏色與亮度由磊晶材料決定，且磊晶占LED制造成本70%左右，對LED產業極為重要。上游磊晶制程順序為：單芯片(III-V族基板)、結構設計、結晶成長、材料特性/厚度測量。
中游廠商就是將這些芯片加以切割，形成為上萬個晶粒。依照芯片的大小，可以切割為二萬到四萬個晶粒。這些晶粒長得像沙灘上的沙子一樣，通常用特殊膠帶固定之后，再送到下游廠商作封裝處理。中游晶粒制程順序為：磊芯片、金屬膜蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。而，下游封裝順序為：晶粒、固晶、粘著、打線、樹脂封裝、長烤、鍍錫、剪腳、測試。
